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专业激光光学系统稳定可靠;高效稳定的编程和控制系统，简单易学人性化，兼容多种 CAD 图纸格式，智能排料节省成本，自动切割路径，匹配节省加工时间;产品能耗少，使用成本低;设备稳定性高，维护简单方便，维护成本低，无需模具，柔性加工，能满足各种异形工件加工要求;各种异形工件加工要求。
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箱式化学气相沉积系统采用炉体和智能控制一体化设计，整个炉体美观、大方。PID可编程序智能控温，移相触发，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷循环系统，炉门底部升降，节能安全。化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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定制流化床CVD系统，由真空立式管式炉、供气系统、真空系统、真空测量系统组成。该系统以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端用不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，真空泵接口，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。该立式CVD管式炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等
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该系统是一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。炉底部装有滑轨，可通过滑动炉子可以实现物料的快速加热和冷却。该cvd高温炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，最高温度可以达到1200度，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计，可以对多种气体进行准确的混气，然后导入到管式炉内部。快速退火炉炉管两端安装真空法兰，真空度用分子泵可以到10-5Torr，机械泵可到10-3Torr。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得最快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端，是低成本快速热处理的理想炉子。
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该设备由蒸发器、混合器和反应器组成。采用氧化铝纤维耐火材料。设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，30段可编程温控系统，气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数。该CVD高温炉广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该CVD镀膜设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。
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KJ-T1200 CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-5种气体用于CVD或扩散。该CVD高温管式炉主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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KJ-CVD 是一种分体式管式炉，配备 60mm 直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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该设备是一款带有预热系统的滑动PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，滑动式管式炉，4通道质量流量供气系统和旋片泵组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。
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科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
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该立式双温区CVD系统主要由：1200度双温区管式炉、3通道质量流量计供气系统、2L/S抽速真空泵及相关连接件组成;设备下方加装定向轮和万向轮，设备整体占地尺寸小并可灵活移动。该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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科佳公司研制开发了碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等。
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KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备60mm直径的高纯石英炉管、真空泵和四通道质量流量计+一个浮子流量计气体流动系统。它可以混合1-4种气体用于CVD或扩散。
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六通道高真空PECVD系统是一款由1200度管式炉，等离子射频电源，分子泵高真空，六通道气路等组成的等离子化学气相沉积系统，加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可应用于纳米材料生长，石墨烯生成、金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜等各种薄膜等，可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏
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该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
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沧州市欧谱检测仪器有限公司推出的双人操作自动金相试样磨抛机OU6020，是一款专为高效批量制备金相试样设计的创新设备。其通过双工位独立控制与智能化磨抛系统的结合，支持两名操作人员同步进行不同材料的试样制备，显著提升实验室检测效率与数据一致性，广泛应用于金属材料研发、质量检测及教学科研领域。
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沧州市欧谱检测仪器有限公司推出的金相试样磨抛机（自动清洗）OU6120，是一款集高效磨抛与智能清洁于一体的创新型金相制备设备。其通过精密机械控制与自动化清洗系统的协同工作，实现金相试样从粗磨到精抛的全流程标准化处理，显著提升试样制备效率与表面质量，广泛应用于材料科学、冶金分析及质量检测领域。
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沧州市欧谱检测仪器有限公司推出的一体式金相试样预磨机OU6220，是一款专为金相试样精磨设计的智能化设备，通过双盘同步操作与高效冷却系统，显著提升试样制备效率与表面质量，广泛应用于金属材料研发、质量控制及教学科研领域。
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